上海新昇半导体集成电路硅材料工程研发配套项目封顶,计划明年投用

面包芯语   2023-08-13 21:33:06

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文

8月10日,上海新昇半导体集成电路硅材料工程研发配套项目封顶仪式在临港新片区东方芯港举行。


(资料图片仅供参考)

图片来源:上海临港产业区

据悉,该项目于2022年7月拿地,同年11月开工。规划建设用地66,757平方米,建设集研发综合性办公楼、测试验证平台、电力配套、动力站等功能于一体的公辅设施。该项目将联合上海集成电路材料研究院共同承担国家集成电路材料创新中心项目,拟建设一座硅材料工程技术研发实验基地,计划将于2024年投用。

上海新昇半导体科技有限公司是上海硅产业集团股份有限公司的全资控股子公司,是商业化提供300mm(12英寸)半导体硅片的企业。该公司生产的300mm硅片广泛用于存储器芯片、逻辑芯片、图像传感器、IGBT功率器件及通信芯片等集成电路产业。

来源:集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察(重点企业或园区)

最新日程如下

会议日程

宽禁带器件应用中的机遇与挑战(题目暂定)

——厦门三安光电有限公司(已定)

中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定)

——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定)

SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定)

——山西烁科晶体有限公司(已定)

国产碳化硅功率器件机遇和挑战(题目暂定)

——安徽芯塔电子科技有限公司(已定)

国产SiC MOSFET发展要点浅析

——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定)

用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案(题目暂定)

——深圳基本半导体有限公司(已定)

大尺寸碳化硅单晶工艺控制

——山东天岳先进材料科技有限公司(待定)

碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法

——中国电子科技集团公司第二研究所(待定)

大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点

——上海积塔半导体有限公司(待定)

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

——南方科技大学(待定)

氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展

——东莞中镓半导体科技有限公司(待定)

中国第三代半导体供应链现状

——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定)

GaN在车用功率半导体的应用

——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定)

*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。

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